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比NAND快一千倍:中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片

2019/7/12 0:04:09 chenguofengh.cn

以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场,2018年将推出国产3D NAND闪存,意图实现国家要求的芯片自给率要求。不过在NAND领域,中国公司研发、生产已经晚了20多年,更大的希望还是在在新一代存储技术上。中芯国际(SMIC)日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。

▲SMIC中芯国际已经出样40nm工艺的ReRam存储芯片

在存储芯片领域,NAND闪存是目前的绝对主流,保守点说三五年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择,但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了,,Intel、美光研发的3D XPoint之前有说是基于PCM相变存储,也是新一代存储芯片范畴了,而今天说的ReRAM(非易失性阻变式存储器)更是代表性的非易失性存储器。

虽然它的名字中带RAM,不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储,只不过它的性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

说到ReRAM,不得不提的一家公司就是Crossbar,根据该公司资料,Crossbar技术首先由中国出生的卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士研发,他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位,以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在ReRAM领域积累了十二年的研究经验,他先作为哈佛大学的博士后研究员,然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家,包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

2016年这家公司获得了8000万美元的风投,其中中国公司也参与了,而Crossbar去年3月份也宣布进军中国市场,他们的合作伙伴就是SMIC中芯国际,将基于后者的40nm CMOS试产ReRAM芯片。根据该公司副总裁Sylvain Dubois所说,2016年内中芯国际已经开始给客户出样40nm工艺的ReRAM芯片,实现了该公司之前2016年内推出ReRAM的承诺。

不仅如此,更先进的28nm工艺版ReRAM芯片也将在2017年上半年问世,只是Sylvain Dubois拒绝表态是否还是由SMIC生产,还是交给其他代工厂。


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